Sejarah RAM (Random Access Memory)

RAM atau Random Access Memory adalah memory yang dapat menyimpan dan menghapus data atau instruksi secara sementara (temporary)yang dikembangkan pada tahun 1949-1952. Orang yang pertama kali menemukan alat ini adalah Robert Dennard. Pada awal pembuatanya RAM membutuhkan
tegangan sebesar 5 volt untuk berjalan pada frequensi 4.77Mhz dengan waktu akses memory (access time) sekitar 200ns atau setara dengan 2*10^-7 detik(0.0000002 detik).

DRAM:

Pada tahun 1964 Arnold Farber dan Eugene Schlig bekerja di IBM, membuat sel Memory. Ini menggunakan transistor gate dan tunnel diode latch. Selanjutnya mereka mengganti tunel diode letch dengan dua transistor dan dua resistor. Skema ini dikenal dengan nama Farber-Schlig cell.Di tahun 1965, Benjamin Agusta dan timnya di IBM membuat sebuah 16-bit silicon memory chip berdasarkan pada the Farber-Schlig cell, which consisted of 80 transistors, 64 resistors, and four diodes. IBM memulai membuat memory pada tahun 1970 yang bernama DRAM. DRAM Pertama digunakan pada perang perang dunia kedua di Bletchley Park. Skema penggambaran DRAM dipatenkan pada tahun 1968. DRAM pertama dengan baris multiplexing dan garis kolom alamat adalah MK4096 Mostek (4096x1) yang dirancang Robert Proebsting dan diperkenalkan pada tahun 1973.

Sdram:

Walaupun konsep DRAM synchronous sudah dikenal sejak tahun 1970-an dan digunakan dengan prosesor awal intel, pada tahun 1993 SDRAM mulai untuk universal dalam industri elektonik. tahun 1993 samsung mengenalkan DRAM KM48SL2000 synchronous, Di tahun 2000 SDRAM menggantikan hampir semua DRAM karena performanya yang bagus. Sekarang hampir semua SDRAM diproduksi dengan menggunakan standard yang diterapkan oleh JEDEC ( asosiasi industri elektronik yang mengadopsi standar terbuka untuk memudahkan interoperabilitas komponen elektronik), Secara resmi JEDEC mengadopsi standard SDRAM pada tahun 1993.

Sfram:

Fast Page Mode DRAM atau disingkat dengan FPM DRAM ditemukan sekitar tahun 1987. Sejak pertama kali diluncurkan, memori jenis ini langsung mendominasi pemasaran memori, dan orang sering kali menyebut memori jenis ini “DRAM” saja, tanpa menyebut nama FPM. Memori jenis ini bekerja layaknya sebuah indeks atau daftar isi. Arti Page itu sendiri merupakan bagian dari memori yang terdapat pada sebuah row address. Ketika sistem membutuhkan isi suatu alamat memori, FPM tinggal mengambil informasi mengenainya berdasarkan indeks yang telah dimiliki. FPM memungkinkan transfer data yang lebih cepat pada baris (row) yang sama dari jenis memori sebelumnya. FPM bekerja pada rentang frekuensi 16MHz hingga 66MHz dengan access time sekitar 50ns. Selain itu FPM mampu mengolah transfer data (bandwidth) sebesar 188,71 Mega Bytes (MB) per detiknya.

EdoRam:

RAM jenis EDORAM ini di buat pada tahun 1995 merupakan penyempurnaan dari FPM. EDORAM dapat mempersingkat read read cyclenya sehingga dapat meningkatkan kinerja sekitar 20%. EDO mempunyai access time yang cukup bervariasi, yaitu sekitar 70ns hingga 50ns dan bekerja pada frekuensi 33MHz hingga 75MHz. Walaupun EDO merupakan penyempurnaan dari FPM, namun keduanya tidak dapat dipasang secara bersamaan, karena adanya perbedaan kemampuan.

DrdRam:

Pada tahun 1999 Rambus,Inc menciptakan sebuah teknologi memory dengan arsitektur baru dan revolusioner, berbeda dengan SDRAM. DRDRAm ini didesain dengan hanya membutuhkan tegangan sebesar 2,5 volt dan dapat bekerja pada sistem bus 800MHz yang disebut sebagai Direct Rambus Channel. Mampu mengalirkan data sebesar 1,6GB/sec. Sayangnya kecanggihan ini tidak dapat dimanfaatkan dengan baik oleh chipset dan prosesor saat itu, selain itu harganya yang sangat mahal membuat memory ini kurang diminati.

DdrRam:

DDRAM dikembangkan tahun 1999, karena kebutuhan transmisi data yang sangat tinggi. Teknologi ini dikembangkan berdasarkan transmisi data dari dan ke terminal melalui sinyal tact. Misalnya pengguna hanya menggunakan 32MB untuk mendapatkan kemampuan 64 MB. AMD merupakan perusahaan pertama yang menggunakan DDR RAM pada motherboarnya.